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AI引爆存储芯片需求,三星Q3营业利润环比增长160%

10月30日,全球领先的内存芯片制造商三星电子发布了第三季度业绩,显示受益于AI浪潮下芯片业务复苏...

三星 存储芯片 内存

存储器

智原科技成功获得三星4纳米AI ASIC新案

智原科技在10月28日的法说会上宣布,已成功拿下三星4纳米AI ASIC新案,并获得北美客户的2.5D及3D先进封装新案...

三星 先进封装

制造/封测

马斯克宣布三星与台积电共同设计生产特斯拉AI5芯片

特斯拉首席执行官埃隆·马斯克在最新的电话会议上宣布,三星电子将与台积电共同设计和生产特斯拉人工智能5号芯片(AI5)...

三星 台积电

IC设计

消息称三星HBM3E内存通过英伟达认证

韩国半导体业内人士透露,三星第五代12 层高频宽存储器HBM3E 产品终于通过Nvidia 品质认证测试,

三星 英伟达 HBM

存储器

三星正研发415mm×510mm面板级先进封装SoP

为与英特尔、台积电争夺超大规模芯片系统集成订单,三星电子正研发基于415mm×510mm尺寸长方形面板的SoP封装...

三星

制造/封测

三星DRAM良率突破50%,下半年将量产HBM4

韩国媒体报导,三星电子在10奈米级第六代(1c)DRAM制程方面取得了重大进展,良率已突破50%...

三星 HBM4

存储器

三星推迟1.4纳米制程计划,Exynos芯片发展重心转向2纳米

三星电子近期宣布将推迟其1.4纳米制程的量产计划,预计这一计划将延迟至2028至2029年...

三星

制造/封测

三星发表Exynos 2500:首款3 奈米GAA芯片,效能与AI 表现同步升级

三星宣布最新旗舰芯片Exynos 2500,这是三星首款3 奈米GAA(环绕闸极)制程打造的行动芯片,象征高阶芯片制程大突破。

三星 芯片

IC设计

三星加速2nm工艺布局:泰勒晶圆厂计划2026年量产

三星电子正在加速其在美国得克萨斯州泰勒的晶圆厂的生产准备,计划于2026年引入2nm工艺的量产线

三星

制造/封测

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